مدل سازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دو گیتی با گیت دو ماده ای در ابعاد نانو

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرات دو بعدی پتانسیل به فرم یک سهمی تقریب زده شده است. مدل پتانسیل حاصل برای هر نقطه در کانال و برای حالت های متقارن و نامتقارن این ترانزیستور برقرار است. بر اساس مدل به دست آمده برای پتانسیل کانال برای مهم ترین اثرات کانال کوتاه شامل تغییرات ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل با القای درین و شیب زیر آستانه در ماسفت دو گیتی با گیت دو ماده ای مدل های تحلیلی ارائه شده است. برای بررسی صحت مدل های به دست آمده، نتایج حاصل از مدل های تحلیلی برای پتانسیل کانال و اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دو گیتی با گیت دو ماده ای و نتایج حاصل از شبیه سازی این ترانزیستور با نرم افزار atlas مقایسه شده-اندکه نزدیک بودن نتایج مدل و نتایج شبیه سازی دقت خوب مدل ارائه شده را نشان می دهد.